场效应管（Field-Effect Transistor，FET）具有较低的噪声特性，主要是由于以下几个原因：

高输入阻抗：FET的输入电阻高，通常在兆欧姆（MΩ）的量级。高输入阻抗使得FET对外部信号的干扰和噪声产生的影响降到低。

无内部电流噪声：与双极型晶体管（BJT）相比，FET是一种无内部电流流动的器件。BJT的基极电流引入了内部电流噪声，而FET不具备这个问题。因此，FET的噪声性能更好。

较低的热噪声：FET具有较低的热噪声水平，这是由于FET的结构特性。在FET中，主要的噪声源是电阻。相比之下，BJT的噪声主要由基极电流引起的热噪声和电流噪声组成。